Транзистор NPN Infineon BFP640H6327XTSA1, SOT343, RF, 42 ГГц, 50 шт.
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM035122
Транзистор NPN Infineon BFP640H6327XTSA1, SOT343, RF, 42 ГГц, 50 шт.В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор NPN Infineon BFP640H6327XTSA1 — це біполярний RF-компонент у корпусі SOT343, виготовлений за технологією SiGe:C. Комплект складається з 50 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Корпус: SOT343, монтаж SMD
- Технологія: SiGe:C
- Максимальна частота: 42 ГГц
- Напруга колектор-емітер: 4,1 В
- Струм колектора: 50 мА
- Потужність розсіювання: 0,2 Вт
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга колектор-емітер становить 4,1 В, а струм колектора — 50 мА. Потужність розсіювання дорівнює 0,2 Вт. Коефіцієнт підсилення (hFE) знаходиться в діапазоні 110...270.
Високочастотні характеристики
Транзистор відноситься до типу RF і підтримує робочу частоту 42 ГГц. Технологія виготовлення SiGe:C використовується для створення високочастотних біполярних транзисторів.
Комплектація
Упаковка містить 50 транзисторів у корпусі SOT343.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT343 |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-еммітер | 4.1 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.05 А |
| Технологія | SiGe:C |
| Тип монтажа | Поверхневий |
| Тип транзизора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴