Транзистор ONSEMI BC858ALT1G — це біполярний напівпровідниковий прилад структури PNP у корпусі SOT23 (TO236AB). Комплект складається з 200 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: PNP, біполярний
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальна напруга колектор-емітер: 30 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Гранична частота: 100 МГц
- Кількість у комплекті: 200 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 30 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт, що відповідає стандартним вимогам для компонентів у корпусі SOT23. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 125...250.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SOT23, також відомому як TO236AB, і призначений для технології поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє використовувати транзистор у компактних пристроях із високою щільністю розміщення елементів на платі.
Частотні характеристики
Гранична частота транзистора становить 100 МГц. Ця характеристика визначає верхню межу робочого діапазону частот, у якому прилад зберігає свої підсилювальні властивості.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 30 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Ціна: 1 950 ₴

