Транзистор ONSEMI BC857CLT1G — це біполярний напівпровідниковий прилад структури PNP у корпусі SOT23 (TO236AB). Товар постачається комплектом із 150 одиниць, що зручно для масового монтажу електронних схем.
- Тип структури: PNP
- Напруга колектор-емітер: 45 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB)
- Кількість у наборі: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 45 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт, що відповідає можливостям малогабаритного корпусу для поверхневого монтажу.
Частотні характеристики
Верхня гранична частота приладу дорівнює 100 МГц. Цей параметр визначає діапазон роботи транзистора у високочастотних схемах, де важлива швидкість перемикання або підсилення сигналу.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB) для технології SMD. Таке виконання дозволяє розміщувати транзистори на друкованих платах із високою щільністю монтажу.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 45 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Ціна: 2 420 ₴

