
Транзистор ONSEMI BC857BDW1T1G, PNP x2, SMD, 45V, 0,1A, 150 шт.
2 590 ₴
- В наявності
- Код: TM018013
Транзистор ONSEMI BC857BDW1T1G — це біполярний компонент типу PNP x2, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається зі 150 одиниць у корпусі SC70-6/SC88/SOT363, що забезпечує компактність та зручність для автоматизованого виробництва.
- Тип транзистора: PNP x2 (подвійний)
- Напруга колектор-емітер: 45 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,38 Вт
- Корпус: SC70-6 / SC88 / SOT363 (SMD)
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Компонент працює з напругою колектор-емітер до 45 В та струмом колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,38 Вт, що дозволяє використовувати транзистор у ланцюгах із помірним навантаженням. Коефіцієнт підсилення струму (hFE) знаходиться в діапазоні 220...475, що гарантує стабільну роботу ключових схем.
Компактний корпус SMD
Транзистор виготовлений у корпусі SC70-6 (також відомому як SC88 або SOT363). Такий формат є стандартом для поверхневого монтажу, що економить місце на друкованій платі та спрощує процес пайки. Частота переходу fT становить 100 МГц, що робить компонент придатним для високочастотних застосувань.
Комплектація
Упаковка містить 150 транзисторів BC857BDW1T1G. Така кількість оптимальна для серійного виробництва або забезпечення запасу компонентів для ремонтних майстерень.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.38 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 45 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
- Ціна: 2 590 ₴
