Транзистор ONSEMI BC846BWT1G, NPN, 65 В, 0,1 А, SOT323 (комплект 200 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM071756
Транзистор ONSEMI BC846BWT1G, NPN, 65 В, 0,1 А, SOT323 (комплект 200 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI BC846BWT1G — це біполярний напівпровідниковий прилад структури NPN у компактному корпусі SOT323. Комплект складається з 200 одиниць.
- Тип: біполярний транзистор структури NPN
- Максимальна напруга колектор-емітер: 65 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,15 Вт
- Корпус: SC70 (SOT323), монтаж SMD
- Гранична частота: 100 МГц
- Кількість у комплекті: 200 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 65 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,15 Вт, що відповідає обмеженням малогабаритного корпусу. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 200...450.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі SC70 (SOT323) для поверхневого монтажу (SMD).
Частотні характеристики
Гранична частота переходу становить 100 МГц.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.15 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 65 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴