Транзистор ONSEMI BC846BM3T5G — це біполярний напівпровідниковий прилад структури NPN у компактному корпусі SOT723. Товар поставляється набором із 150 одиниць, що зручно для масового монтажу на друкованих платах.
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Корпус: SOT723, монтаж SMD
- Напруга колектор-емітер: 65 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Коефіцієнт підсилення: 200...450
- Кількість у наборі: 150 шт.
Технічні параметри
Прилад має максимальну напругу колектор-емітер 65 В та струм колектора 0,1 А. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) становить 200...450, що визначає його здатність керувати навантаженням. Частота переходу fT дорівнює 100 МГц, що вказує на можливості роботи у високочастотних схемах.
Монтаж та корпус
Транзистор виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі SOT723. Таке виконання дозволяє розміщувати компоненти на одній стороні плати, економлячи місце та спрощуючи автоматизований монтаж.
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 0,265/0,64 Вт. Цей параметр визначає тепловий режим роботи транзистора та необхідність врахування відведення тепла при проєктуванні схеми.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 65 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT723 |
- Ціна: 2 220 ₴

