Діод Schottky BASiC SEMICONDUCTOR B3D10120H, SiC, 1,2kV, 10A, TO247-2 (комплект 20 шт.)
2 130 ₴
- В наявності
- Код: TM071319
Діод Schottky BASiC SEMICONDUCTOR B3D10120H, SiC, 1,2kV, 10A, TO247-2 (комплект 20 шт.)В наявності
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B3D10120H — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-2. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Технологія SiC
- Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
- Прямий струм 10 А
- Корпус TO247-2 для монтажу на плату (THT)
- Розсіювана потужність 181 Вт
- Імпульсний струм до 90 А
- Комплект із 20 одиниць
Висока напруга та струм
Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та прямий струм 10 А.
Технологія SiC та розсіювання потужності
Максимальна розсіювана потужність становить 181 Вт.
Імпульсна стійкість
Компонент витримує імпульсний струм до 90 А.
Комплектація
У пакеті постачається 20 діодів BASiC SEMICONDUCTOR B3D10120H.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 181 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 90 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальний прямий струм | 10 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 130 ₴