Діод Schottky BASiC SEMICONDUCTOR B3D05120E, SiC, 1,2 кВ, 5 А, TO252-2 (комплект 30 шт.)
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM034975
Діод Schottky BASiC SEMICONDUCTOR B3D05120E, SiC, 1,2 кВ, 5 А, TO252-2 (комплект 30 шт.)В наявності
2 180 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B3D05120E — це напівпровідниковий компонент технології SiC у корпусі TO252-2 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
- Струм пропускання 5 А
- Технологія SiC (карбід кремнію)
- Корпус TO252-2 для SMD монтажу
- Розсіювана потужність 101 Вт
- Імпульсний струм до 45 А
- Комплект із 30 діодів
Висока напруга та струм
Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та номінальний струм пропускання 5 А.
Технологія SiC та потужність
Використання карбіду кремнію (SiC) забезпечує ефективну роботу при розсіюванні потужності до 101 Вт.
Імпульсні характеристики
Компонент здатний витримувати імпульсний струм до 45 А.
Комплектація
У комплекті постачається 30 діодів BASiC SEMICONDUCTOR B3D05120E.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 101 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 45 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальний прямий струм | 5 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 180 ₴