Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1, SiC, 1,2 кВ, 20А, TO247-3 (2 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM071308
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1, SiC, 1,2 кВ, 20А, TO247-3 (2 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40120HC1 — це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Комплект складається з 2 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Технологія SiC
- Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
- Струм провідності 20 А на канал (подвійна структура)
- Корпус TO247-3 з монтажем THT
- Комплект із 2 діодів
Електричні параметри
Діоди мають максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та номінальний струм провідності 20 А на кожен канал. Структура напівпровідника подвійна, зі спільною катодою.
Потужність та струми
Використання технології SiC забезпечує низький струм витоку 30 мкА та максимальну розсіювану потужність 112 Вт. Максимальний імпульсний струм становить 180 А,
Монтаж та корпус
Тип монтажу THT передбачає встановлення компонентів у отвори плати. Корпус TO247-3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 112 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 180 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.92 В |
| Максимальний зворотний струм | 30 мкА |
| Максимальний прямий струм | 40 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴