Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065H1, SiC, 650 В, 40 А, TO247-2 (2 шт.)

Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D40065H1 — це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-2 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 2 елементів, розрахованих на робочу напругу 650 В та струм 40 А.

• Струм витоку 26 мкА
• Корпус TO247-2 для монтажу THT
• Технологія SiC
• Комплект із 2 діодів
• Напруга 650 В, струм 40 А

Електричні параметри

Діод витримує зворотну напругу до 650 В та прямий струм 40 А. Максимальний імпульсний струм становить 180 А, а розсіювана потужність — 240 Вт. Ці параметри визначають граничні режими роботи компонента.

Технологія SiC

Компонент виготовлено за технологією SiC. Максимальна напруга провідження становить 1,76 В, а струм витоку — 26 мкА.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO247-2 з виводами для монтажу на плату (THT). У комплекті постачається 2 діоди. Структура напівпровідника — одиночний діод.