Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1, SiC, 1200 В, 10 А, TO247-3 (5 шт.)

Діод Шоткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120HC1 — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Призначений для високовольтних силових схем, де важливі низькі втрати та висока надійність. У комплекті поставляється 5 штук.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Максимальна напруга 1,2 кВ
• Струм 10 А x2 (подвійна структура)
• Корпус TO247-3 для THT монтажу
• Комплект із 5 штук

Висока напруга та струм

Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та прямий струм 10 А на кожну з двох структур (загальний максимальний струм 20 А). Це дозволяє використовувати компонент у мережевих випрямлячах та інверторах із високими параметрами навантаження.

Технологія SiC

Використання технології SiC забезпечує ефективну роботу при високих температурах та частотах. Максимальна розсіювана потужність становить 60 Вт, що вимагає якісного відведення тепла через корпус TO247-3.

Низькі втрати та швидкість

Пряме падіння напруги не перевищує 2 В, а струм витоку мінімальний — 40 мкА. Це зменшує нагрівання компонента під час роботи та підвищує загальний ККД пристрою.

Імпульсна стійкість та структура

Діод витримує імпульсний струм до 90 А, що забезпечує надійність при переходних процесах. Подвійна структура зі спільним катодом у корпусі TO247-3 дозволяє замінити два окремих компоненти одним, спрощуючи монтаж та економлячи місце на платі.