Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1, SiC, 1,2 кВ, 20 А, TO247-2 (5 шт.)
2 560 ₴
- В наявності
- Код: TM071305
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1, SiC, 1,2 кВ, 20 А, TO247-2 (5 шт.)В наявності
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 5 діодів Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20120H1 на основі карбіду кремнію (SiC). Призначені для випрямлення струму в силових електронних схемах із високою напругою до 1,2 кВ та струмом 20 А.
- Технологія SiC для високої ефективності
- Зворотна напруга до 1,2 кВ
- Прямий струм 20 А
- Корпус TO247-2 для монтажу THT
- Комплект із 5 діодів
Висока напруга та струм
Діоди витримують зворотну напругу до 1,2 кВ та прямий струм 20 А. Максимальний імпульсний струм становить 190 А.
Технологія SiC та низькі втрати
Використання карбіду кремнію (SiC) дозволяє досягти високої ефективності. Максимальна напруга провідження становить 1,78 В, а розсіювана потужність — 159 Вт. Ток витоку становить 40 мкА.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі TO247-2 для монтажу через отвори (THT).
Комплектація
Упаковка містить 5 діодів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 159 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 190 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1200 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.78 В |
| Максимальний зворотний струм | 40 мкА |
| Максимальний прямий струм | 20 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 560 ₴