
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1, SiC, 650В, 20А, TO263-2 (10 шт.)
3 390 ₴
- В наявності
- Код: TM017947
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D20065F1 — це напівпровідниковий компонент технології SiC у корпусі TO263-2 для монтажу SMD. Комплект складається з 10 одиниць.
- Технологія SiC
- Максимальна зворотна напруга 650 В
- Прямий струм 20 А
- Корпус TO263-2 для монтажу SMD
- Струм витоку всього 13 мкА
- Потужність розсіювання 100 Вт
- Комплект із 10 діодів
Висока напруга та струм
Діод працює з максимальною зворотною напругою 650 В та прямим струмом 20 А.
Технологія SiC
Використання карбіду кремнію (SiC).
Компактний монтаж SMD
Корпус TO263-2 та тип монтажу SMD дозволяють розміщувати діод на друкованих платах із високою щільністю компонентів.
Низький струм витоку
Струм витоку становить лише 13 мкА,
Потужність розсіювання
Діод здатний розсіювати потужність до 100 Вт,
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 140 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.67 В |
| Максимальний зворотний струм | 13 мкА |
| Максимальний прямий струм | 20 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 390 ₴
