Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065E1, SiC, 650 В, 6 А, TO252-2 (комплект 20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM034968
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065E1, SiC, 650 В, 6 А, TO252-2 (комплект 20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шотткі BASiC SEMICONDUCTOR B2D06065E1 — це напівпровідниковий компонент із технологією SiC у корпусі TO252-2 для монтажу SMD. Комплект складається з 20 одиниць із номінальною напругою 650 В та струмом 6 А.
- Технологія SiC
- Корпус TO252-2
- Монтаж SMD
- Напруга 650 В
- Струм 6 А
- Комплект 20 шт.
Електричні параметри
Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 650 В та прямий струм 6 А. Максимальний імпульсний струм становить 38 А, що дозволяє компоненту витримувати короткочасні перевантаження.
Технологія SiC
Використання карбіду кремнію (SiC) як матеріалу структури забезпечує струм витоку 20 мкА. Максимальна напруга провідності становить 1,7 В. Потужність розсіювання дорівнює 50 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252-2 з монтажем SMD. Структура напівпровідника — одиночний діод. Тип діода — випрямний Шотткі.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 38 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.7 В |
| Максимальний зворотний струм | 20 мкА |
| Максимальний прямий струм | 6 А |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO252-2 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴