Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC N-MOSFET SiC 1200В 27А TO247-3

Транзистор BASiC SEMICONDUCTOR B1M080120HC — це силовий N-MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3. Прилад розрахований на напругу 1,2 кВ та постійний струм 27 А.

• Тип: N-MOSFET на основі SiC
• Напруга стік-виток: 1200 В
• Струм стоку: 27 А (імпульсний 80 А)
• Потужність розсіювання: 241 Вт
• Опір у відкритому стані: 80 мОм
• Корпус: TO247-3, монтаж THT

Напруга та струм

Транзистор витримує напругу між стоком та витоком до 1,2 кВ. Номінальний струм стоку становить 27 А, а імпульсний струм може досягати 80 А.

Потужність розсіювання

Потужність розсіювання дорівнює 241 Вт. Це визначає тепловий режим роботи компонента під навантаженням.

Технологія SiC та опір

Використання технології SiC (карбід кремнію) забезпечує опір у відкритому стані 80 мОм. Це зменшує втрати потужності у відкритому стані.

Тип та монтаж

Транзистор є уніполярним із каналом збагачення. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO247-3.