Інтегральна мікросхема SRAM Alliance Memory AS7C1026B-12JIN, 1 Мбіт, SOJ44, 5 В — набір 3 шт.

Інтегральна мікросхема пам'яті SRAM від виробника Alliance Memory, модель AS7C1026B-12JIN. Це асинхронна статична пам'ять об'ємом 1 Мбіт з організацією 64kx16 біт, що працює від напруги 5 В у корпусі SOJ44.

• Об'єм пам'яті: 1 Мбіт
• Організація: 64kx16 біт
• Час доступу: 12 нс
• Робоча напруга: 5 В
• Корпус: SOJ44 (400 mils)
• Тип монтажу: SMD
• Кількість у наборі: 3 шт.

Технічні характеристики пам'яті

Мікросхема є асинхронною SRAM з ємністю 1 Мбіт та структурою 64kx16 біт. Час доступу до даних становить 12 нс, що визначає швидкодію пристрою. Робоча напруга живлення — 5 В, а температурний діапазон експлуатації — від -40 до 85 °C.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі типу SOJ44 з шириною корпусу 400 mils. Призначений для поверхневого монтажу (SMD) на друковані плати.

Швидкодія та тип пам'яті

Увага: товар продається набором, що містить 3 шт. мікросхем.