Інтегральна мікросхема DIODES INCORPORATED AS358MTR-G1, 2 канали, SO8 — набір 150 шт.

Інтегральна мікросхема DIODES INCORPORATED AS358MTR-G1 — це подвійний операційний підсилювач у корпусі SO8. Призначений для монтажу на поверхню (SMT) та роботи в діапазоні живлення 3–36 В.

• Корпус SO8 для поверхневого монтажу (SMT)
• Два канали підсилення в одній мікросхемі
• Діапазон живлення 3–36 В постійного струму
• Коефіцієнт підсилення 100 дБ
• Вхідна напруга незбалансованості 2 мВ
• Робоча температура від -40 до 85 °C
• Потужність розсіювання 0,55 Вт

Підсилення та канали

Мікросхема має два незалежні канали, що дозволяє реалізовувати кілька функцій підсилення в одному корпусі. Коефіцієнт підсилення становить 100 дБ, а вхідна напруга незбалансованості — 2 мВ. Потужність розсіювання обмежена 0,55 Вт, що відповідає класу low power.

Живлення та потужність

Пристрій працює в температурному діапазоні від -40 до 85 °C. Монтаж виконується методом SMT.

Комплектація

Товар поставляється набором із 150 штук.