Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60 N-MOSFET 600V 7.2A TO220 (набір 20 шт.)

Набір із 20 потужних N-MOSFET транзисторів ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR моделі AOT10N60 у корпусі TO220. Компоненти призначені для роботи з напругою до 600 В та струмом 7,2 А, що робить їх придатними для силових електронних схем.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Максимальний струм дрена: 7,2 А
• Потужність розсіювання: 250 Вт
• Корпус: TO220, монтаж THT
• Опір у стані провідності: 0,6 Ом
• Набір: 20 штук

Висока напруга та струм

Транзистори витримують напругу дрена-джерела до 600 В, що дозволяє використовувати їх у високовольтних застосунках. Максимальний струм дрена становить 7,2 А, забезпечуючи надійну комутацію значних навантажень. Це важливо для інверторів, джерел живлення та двигунів, де потрібна стабільна робота під високим навантаженням.

Потужність розсіювання

Компоненти мають потужність розсіювання 250 Вт, що вимагає належного охолодження. Така характеристика дозволяє транзисторам працювати в режимах високої потужності без перегріву, за умови використання радіаторів. Це критично для промислового обладнання та силових модулів.

Зручний монтаж та корпус

Транзистори виконані у стандартному корпусі TO220 з монтажем THT (через отвори). Це спрощує процес пайки та інтеграції в друковані плати. Корпус TO220 є одним із найпоширеніших для силових транзисторів, що полегшує пошук сумісних радіаторів та кріплень.

Електричні параметри

Опір у стані провідності становить 0,6 Ом, що впливає на ефективність роботи та тепловиділення. Заряд затвора дорівнює 31 нКл, а максимальна напруга затвор-джерело — ±30 В. Ці параметри визначають швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.

Комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60. Така кількість зручна для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується кілька силових ключів одночасно.