
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6407, P-MOSFET, -30V, -67A, DFN5x6 (30 шт.)
2 540 ₴
- В наявності
- Код: TM017887
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6407 — це уніполярний P-MOSFET з корпусом DFN5x6, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонтних робіт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: -30 В
- Максимальний струм стіка: -67 А
- Потужність розсіювання: 33 Вт
- Корпус: DFN5x6, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 4,5 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -30 В та витримує струм стіка до -67 А. Потужність розсіювання становить 33 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із середнім навантаженням. Опір у відкритому стані дорівнює 4,5 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання під час роботи.
Тип каналу та керування
Компонент має збагачуваний канал (enhancement mode), що є стандартним для MOSFET-транзисторів цього класу. Напруга затвор-витік може досягати ±25 В, що визначає вимоги до драйвера керування. Загальний заряд затвора становить 75 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до потужності керуючого сигналу.
Монтаж та корпус
Транзистор виконаний у корпусі DFN5x6, який є компактним та підходить для автоматизованого монтажу технологією SMD. Таке виконання дозволяє економити місце на друкованій платі та забезпечує надійний контакт із поверхнею. Комплект із 30 штук зручний для автоматизованого монтажу або розподілу між кількома проектами.## Застосування в силових схемах P-MOSFET з напругою стік-витік -30 В та струмом стіка -67 А підходить для керування навантаженнями у схемах із живленням від акумуляторів або низьковольтних джерел. Типовий канал (enhancement mode) забезпечує стабільну роботу транзистора у відкритому стані при подачі керуючого сигналу.## Ефективність та тепловий режим Низький опір у відкритому стані 4,5 мОм зменшує теплові втрати при протіканні струму, що важливо для компактних пристроїв. Потужність розсіювання 33 Вт визначає максимальне навантаження, яке може витримати компонент без додаткового охолодження. Заряд затвора 75 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до потужності драйвера керування.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DFN5x6 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
- Ціна: 2 540 ₴
