Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60, 600В, 1,6А, TO252 (50 шт.)

Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення.## Комплектація

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 1,6 А
• Потужність розсіювання: 56,8 Вт
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 50 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 1,6 А. Потужність розсіювання становить 56,8 Вт, а допустима напруга між затвором та витоком — ±30 В. Опір у стані провідності дорівнює 3,5 Ом, що визначає теплові втрати при роботі. Уніполярна структура забезпечує простоту керування та передбачувану поведінку в схемах.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі TO252, що забезпечує компактність та зручність автоматизованого монтажу на друкованих платах. Тип монтажу SMD дозволяє використовувати компонент у сучасних електронних пристроях з високою щільністю розміщення елементів. Корпус TO252 поєднує малі габарити з достатньою площею для відведення тепла від кристала.

Заряд затвора та керування

Заряд затвора становить 9,9 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора та вимоги до драйвера керування. Цей параметр важливий для пристроїв, де потрібне ефективне перемикання при високих напругах. Тип каналу — збагачуваний, що означає відсутність струму витоку при нульовій напрузі на затворі.