Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR 4435, -30В, -11А, SOP8 (4435-GFS#30) — набір 30 шт.
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM070551
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR 4435, -30В, -11А, SOP8 (4435-GFS#30) — набір 30 шт.В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду GOFORD SEMICONDUCTOR у комплекті з 30 штук. Це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, що працює при напрузі -30 В та струмі -11 А.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дренаж-виток: -30 В
- Струм дренажу: -11 А
- Розсіювана потужність: 2,5 Вт
- Корпус: SOP8, монтаж SMD
- Комплектація: 30 шт.
Технічні характеристики
Транзистор виготовлений за технологією Trench. Максимальна розсіювана потужність становить 2,5 Вт. Заряд затвора дорівнює 40 нКл, а напруга затвор-виток — ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOP8 для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴