Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2V7002LT1G, 60В, 0,115А, SOT23, набір 80 шт.
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM034702
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2V7002LT1G, 60В, 0,115А, SOT23, набір 80 шт.В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2V7002LT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Пристрій розрахований на напругу стік-витік 60 В та струм стоку 0,115 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 0,115 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Набір: 80 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та допустимий струм стоку 0,115 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт, а опір у відкритому стані — 7,5 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, що визначає безпечні режими керування затвором.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, призначеному для технології поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар постачається набором із 80 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.115 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴