Транзистор N-JFET Toshiba 2SK209-BL(TE85L,F), SMD, SC59, 14 мА, 0,15 Вт (комплект 40 шт.)

Транзистор Toshiba 2SK209-BL(TE85L,F) — це напівпровідниковий прилад типу N-JFET у корпусі SC59 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 40 одиниць, призначених для електронних схем із струмом стоку 14 мА та розсіюваною потужністю 0,15 Вт.

• Тип транзистора: N-JFET (уніполярний)
• Корпус: SC59, монтаж SMD
• Струм стоку: 14 мА
• Розсіювана потужність: 0,15 Вт
• Струм затвора: 10 мА
• Напруга затвор-витік: -50 В
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Технічні параметри

Прилад є уніполярним транзистором з каналом N-типу (N-JFET). Максимальний струм стоку становить 14 мА, а струм затвора — 10 мА. Розсіювана потужність обмежена значенням 0,15 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SC59, що забезпечує компактність на друкованій платі. Тип монтажу — SMD (поверхневий), що дозволяє автоматизувати процес встановлення та зменшити габарити пристрою.

Електричні характеристики

Напруга затвор-витік становить -50 В. Цей параметр визначає допустимий діапазон зворотного напруги на затворі, що важливо для стабільної роботи схеми.