Транзистор P-MOSFET Toshiba 2SJ168(TE85L,F), корпус SC59, SMD, набір 30 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM034699
Транзистор P-MOSFET Toshiba 2SJ168(TE85L,F), корпус SC59, SMD, набір 30 шт.В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор Toshiba 2SJ168(TE85L,F) у компактному корпусі SC59 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-виток: -60 В
- Струм стоку: -200 мА
- Потужність розсіювання: 200 мВт
- Корпус: SC59, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Технічні параметри
Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить -60 В, а допустимий струм стоку — -200 мА. Потужність розсіювання обмежена 200 мВт (0,2 Вт).
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SC59. Технологія монтажу SMD. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 2 Ом. Напруга затвор-виток становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SC59 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴