Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E, PNP, 50 В, 7 А, SOT89, набір 20 шт.
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM070479
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E, PNP, 50 В, 7 А, SOT89, набір 20 шт.В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E — це біполярний напівпровідниковий прилад структури PNP у корпусі SOT89. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: PNP, біполярний
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 7 А
- Потужність розсіювання: 1,3 Вт
- Корпус: SOT89, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 7 А. Потужність розсіювання становить 1,3 Вт. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 200...560.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у компактному корпусі SOT89, що забезпечує зручність автоматизованого поверхневого монтажу (SMD). Максимальна робоча частота транзистора становить 290 МГц.
Транзистор ONSEMI 2SA2016-TD-E підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних компонентів для складання електронних схем із заданими параметрами струму та напруги.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.3 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 7 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 290 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT89 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴