Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002WT1G, 60В, 0,34А, SOT323 (набір 150 шт.)
2 480 ₴
- В наявності
- Код: TM070465
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002WT1G, 60В, 0,34А, SOT323 (набір 150 шт.)В наявності
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002WT1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар поставляється у комплекті зі 150 одиниць у корпусі SC70/SOT323.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 0,34 А
- Розсіювана потужність: 0,33 Вт
- Корпус: SC70, SOT323 (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри та корпус
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 60 В та витримує струм дрена 0,34 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,33 Вт, а допустима напруга між затвором та джерелом — ±20 В. Опір у стані провідності дорівнює 1,19 Ом.
Компонент виконаний у компактному корпусі SC70 (SOT323) для поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора становить 0,7 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.34 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1190 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 480 ₴