Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002Q-7-F, SOT23, 60В, 0,105А (70 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002Q-7-F — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 70 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напруга стік-витік: 60 В
• Струм стіка: 0,105 А (постійний), 0,8 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 0,37 Вт
• Комплектація: 70 шт.
• Особливість: версія ESD (захист від електростатичного розряду)

Технічні параметри та захист

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 0,105 А. Версія ESD передбачає вбудований захист від електростатичного розряду.

Електричні характеристики

Прилад є уніполярним транзистором з каналом збагачення типу N-MOSFET. Максимальний імпульсний струм стіка становить 0,8 А, а розсіювана потужність — 0,37 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 7,5 Ом. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Компонент призначений для використання в автомобільній промисловості.