Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002PW,115, 60В, 0,24А, SOT323 (набір 150 шт.)

N-MOSFET транзистор Nexperia 2N7002PW,115 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Він забезпечує комутацію струму до 0,24 А при напрузі 60 В, що робить його придатним для низьковольтних схем керування.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дренаж-витік: 60 В
• Струм дренажу: 0,24 А (імпульсний до 1,2 А)
• Корпус: SC70 / SOT323 для SMD монтажу
• Опір у стані провідності: 1,6 Ом
• Кількість у наборі: 150 шт.

Ефективна комутація та низькі втрати

Завдяки технології Trench транзистор має низький опір у стані провідності 1,6 Ом, що зменшує нагрівання при роботі. Він витримує постійний струм дренажу 0,24 А та імпульсний до 1,2 А, забезпечуючи стабільну роботу в динамічних режимах. Максимальна розсіювана потужність 0,26 Вт дозволяє використовувати компонент у компактних схемах без додаткового охолодження.

Компактний корпус SOT323 для автоматизованого монтажу

Компонент виготовлений у корпусі SC70 (SOT323), що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє розміщувати транзистор на щільно змонтованих друкованих платах, економлячи простір. Такий формат ідеально підходить для автоматизованих ліній виробництва, де важлива швидкість та точність встановлення.

Зручна фасовка для серійного виробництва

Транзистори постачаються набором із 150 штук, що спрощує планування закупівель для виробництва невеликих серій. Така кількість дозволяє забезпечити запас компонентів для багатьох пристроїв одночасно, мінімізуючи ризик простою через відсутність деталей.## Стабільна робота в низьковольтних схемахТранзистор працює при напрузі дренаж-витік до 60 В, що робить його універсальним для більшості низьковольтних застосувань. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, тому при керуванні логічними сигналами важливо дотримуватися цього діапазону для запобігання пробою ізолятора. Заряд затвора становить 0,8 нКл, що забезпечує швидке перемикання станів.