Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002NXBKR, 60V, 0,17A, SOT23, 300 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia 2N7002NXBKR — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутаційних задач у електронних пристроях.## Комплектація та застосування

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Постійний струм стоку: 0,17 А, імпульсний: 0,9 А
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Технологія: Trench, версія ESD
• Кількість у комплекті: 300 шт.

Технічні характеристики

Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та постійним струмом стоку 0,17 А. Імпульсний струм стоку може досягати 0,9 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з короткочасними піковими навантаженнями. Опір у відкритому стані становить 5,7 Ом, що мінімізує втрати потужності при комутації.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у поверхневому корпусі SOT23 (TO236AB), що забезпечує компактність розташування на платі. Технологія Trench дозволяє отримати низький опір каналу при малих розмірах чипа. Версія ESD підвищує стійкість до електростатичних розрядів під час монтажу та експлуатації.

Електричні параметри затвора та потужність

Напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає допустимі режими керування каналом. Заряд затвора дорівнює 1 нКл, що впливає на швидкість перемикання та навантаження на драйвер. Потужність розсіювання обмежена 0,31 Вт, тому компонент потребує належного теплового режиму на платі.