Транзистор N-MOSFET PanJit 2N7002KW-AU_R1_000A1, SOT323, 60В, 250мА (комплект 100 шт.)

Транзистор PanJit 2N7002KW-AU_R1_000A1 — це польовий транзистор типу N-MOSFET у компактному корпусі SOT323. Комплект складається зі 100 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Максимальна напруга стік-джерело: 60 В
• Струм стоку: 250 мА (постійний), 1 А (імпульсний)
• Корпус: SOT323, монтаж SMD
• Розсіювана потужність: 0,35 Вт
• Кількість у комплекті: 100 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 60 В та постійний струм стоку 250 мА. У імпульсному режимі струм може досягати 1 А. Опір у відкритому стані становить 4 Ом, що забезпечує ефективне проходження струму. Максимальна розсіювана потужність обмежена 0,35 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT323, що дозволяє використовувати його в пристроях із щільним компонуванням плат. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Заряд затвора становить 0,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Полярність та канал транзистора

Транзистор є уніполярним із каналом типу збагачення (enhancement mode). Це означає, що для відкривання каналу необхідно подати напругу на затвор, що забезпечує стабільний стан «вимкнено» за відсутності керуючого сигналу. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає межі керуючих сигналів у схемах керування.