Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002H-7, SOT23, 60В, 0,21А (90 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated 2N7002H-7 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Комплект складається з 90 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
• Максимальна напруга стік-виток: 60 В
• Струм стоку: 0,21 А
• Потужність розсіювання: 0,37 Вт
• Опір у відкритому стані: 7,5 Ом
• Кількість у комплекті: 90 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга між стоком та витоком становить 60 В, а постійний струм стоку — 0,21 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,37 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 7,5 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати його для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна напруга між затвором та витоком становить ±20 В.