Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET1G, SOT23, 60V, 0,22A (набір 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET1G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із напругою до 60 В.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Напруга «дрен-джерело»: 60 В
• Струм дрену: 0,22 А (постійний), 1,2 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 0,42 Вт
• Кількість у наборі: 150 шт.

Технічні параметри

Транзистор має максимальну напругу «дрен-джерело» 60 В та постійний струм дрену 0,22 А. У імпульсному режимі струм може досягати 1,2 А. Потужність розсіювання становить 0,42 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга «затвор-джерело» обмежена ±20 В, а опір у стані провідності дорівнює 1,2 Ом.

Комплектація

Товар постачається набором із 150 штук.