Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000TA, 60В, 110мА, TO92 (набір 40 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM070444
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000TA, 60В, 110мА, TO92 (набір 40 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000TA — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Комплект складається з 40 одиниць у корпусі TO92 для монтажу в отвори.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 0,11 А
- Потужність розсіювання: 0,4 Вт
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 60 В. Максимально допустимий струм стоку — 0,11 А, а максимальна потужність розсіювання — 0,4 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO92 із технологією монтажу THT (through-hole technology). Це означає встановлення транзистора в отвори друкованої плати.
Комплектація
У наборі постачається 40 транзисторів моделі 2N7000TA. Транзистори виготовлені за технологією DMOS.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технологія | DMOS |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴