Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60В, 0,2А, TO92 (2N7000-ONS) — набір 50 шт.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з багатим каналом. Модель виконана у корпусі TO92 для монтажу в отвори (THT) та реалізує технологію DMOS.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, з багатим каналом
• Максимальна напруга дрена-джерела: 60 В
• Струм дрена: 0,2 А (постійний), 0,5 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 0,4 Вт
• Корпус: TO92, монтаж у отвори (THT)
• Набір: 50 шт.

Напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 60 В та постійним струмом дрена 0,2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,5 А. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що визначає допустимі режими керування каналом.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність становить 0,4 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 9 Ом, що характеризує втрати при відкритому каналі.

Комплектація

Товар постачається набором із 50 транзисторів.