Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60В, 0,2А, TO92 (набір 40 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM070441
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000, 60В, 0,2А, TO92 (набір 40 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7000 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення.## Комплектація
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 0,2 А (постійний), 0,5 А (імпульсний)
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Комплектація: 40 штук у наборі
- Розсіювана потужність: 0,4 Вт
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 0,2 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить 0,5 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 9 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO92. Монтаж виконується в отвори (THT). Технологія виготовлення — DMOS.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технологія | DMOS |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴