Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 12N65, 650В, 12А, TO220F (12N65-LGE) — набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 12N65 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 12 А. Товар поставляється комплектом із 30 штук у корпусі TO220F для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
• Максимальний струм дрена: 12 А
• Потужність розсіювання: 33,2 Вт
• Корпус: TO220F, монтаж THT
• Комплект: 30 штук

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 650 В та допустимий струм дрена 12 А. Опір у стані провідності становить 0,54 Ом. Потужність розсіювання обмежена значенням 33,2 Вт, а заряд затвора дорівнює 50,5 нКл.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі TO220F. Тип монтажу THT (скрізний) дозволяє встановлювати компонент безпосередньо на друковану плату з виводами, що проходять крізь отвори.

Комплектація

Увага: товар є набором із 30 транзисторів LUGUANG ELECTRONIC 12N65.