Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 10N65, 650V, 10A, TO220F (10N65-LGE) — набір 30 шт.

Транзистор N-MOSFET LUGUANG ELECTRONIC 10N65 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 10 А. Товар постачається комплектом із 30 штук у корпусі TO220F для монтажу на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 650 В
• Постійний струм стоку: 10 А
• Потужність розсіювання: 27,5 Вт
• Корпус: TO220F, монтаж THT
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу між стоком та витоком 650 В та постійний струм стоку 10 А. Опір у відкритому стані становить 0,63 Ом. Потужність розсіювання обмежена 27,5 Вт, а напруга на затворі не повинна перевищувати ±30 В.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у корпусі TO220F. Тип монтажу THT (скрізь отвори) дозволяє використовувати компонент у класичних схемах з виводами, що проходять крізь отвори плати.

Комплектація

Упаковка містить 30 транзисторів LUGUANG ELECTRONIC 10N65.