Транзистор P-MOSFET Vishay SUD19P06-60-GE3, TrenchFET, DPAK, 60 В (Vds), 8,19 А (набор 20 шт.)
2 720 ₴
- В наличии
- Код: TM232672
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD19P06-60-GE3, TrenchFET, DPAK, 60 В (Vds), 8,19 А (набор 20 шт.)В наличии
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Vishay SUD19P06-60-GE3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, изготовленный по технологии TrenchFET®. Корпус DPAK (TO252) предназначен для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: P-MOSFET, полевой
- Технология: TrenchFET®
- Корпус: DPAK (TO252), поверхностный монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 60 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 2,3 Вт. Заряд затвора равен 26 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK, который также обозначается как TO252. Это обеспечивает поверхностный тип монтажа на печатной плате. Канал транзистора является обогащенным, а полярность — униполярной.
Комплектация
В комплекте поставки находится 20 штук транзисторов. Модель SUD19P06-60-GE3 имеет заряд затвора 26 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK, TO252 |
| Технология | TrenchFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 720 ₴