Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD35NF06LT4, 60В, 35А, DPAK — набор 20 шт.
3 540 ₴
- В наличии
- Код: TM232656
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD35NF06LT4, 60В, 35А, DPAK — набор 20 шт.В наличии
3 540 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET STripFET™ II от STMicroelectronics в корпусе DPAK. Модель STD35NF06LT4 рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 35 А при мощности рассеивания 80 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 35 А
- Максимальная мощность рассеивания: 80 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 17 мОм
- Корпус: DPAK (поверхностный монтаж)
- Технология: STripFET™ II
- Количество в комплекте: 20 шт.
Напряжение и ток
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 16 В. Максимальный ток стока равен 35 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 17 мОм.
Технология и корпус
Транзистор изготовлен по технологии STripFET™ II и имеет полевой тип с каналом типа обогащения. Полярность — униполярная. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация и монтаж
В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 80 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 17 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | STripFET™ II |
Информация для заказа
- Цена: 3 540 ₴