Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS, полумост, 1200 В, 774 А, SEMITRANS3 (SKM150GB12VG 22892052)

Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12VG — полупроводниковый модуль типа IGBT с топологией полумоста в корпусе SEMITRANS3. Максимальное обратное напряжение модуля — 1,2 кВ, максимально допустимый ток коллектора — 774 А.

• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Ток коллектора: 774 А
• Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMITRANS3
• Топология: полумост IGBT
• Монтаж: прикручиваемый, коннекторы FASTON

Электрические параметры

Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Максимально допустимый ток коллектора — 774 А. Напряжение затвор – эмиттер — ±20 В.

Структура и топология

Структура полупроводника — транзистор/транзистор, то есть модуль содержит два транзистора. Топология модуля — полумост IGBT.

Корпус и монтаж

Модуль выполнен в корпусе SEMITRANS3. Механический монтаж — прикручиваемый. Электрический монтаж — коннекторы FASTON и прикручивание.

Применение

По данным производителя, модуль применяется в источниках бесперебойного питания (UPS) и инверторах. Также в применениях указана фотоэлектрика.