Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLWFTAG, -60 В, -14 А, 10 Вт (набор 20 шт.)
2 850 ₴
- В наличии
- Код: TM232641
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLWFTAG, -60 В, -14 А, 10 Вт (набор 20 шт.)В наличии
2 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NVTFS5116PLWFTAG — униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Предназначен для поверхностного монтажа в корпусе WDFNW8. Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, а ток стока — -14 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Максимальный ток стока: -14 А
- Максимальная мощность рассеивания: 10 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 52 мОм
- Корпус: WDFNW8, монтаж: поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение затвор-исток 20 В и максимальную мощность рассеивания 10 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 52 мОм. Заряд затвора составляет 25 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе WDFNW8 для поверхностного монтажа (SMD). Полярность транзистора — униполярная, тип канала — обогащаемый. Это определяет специфику его подключения и управления в электрических схемах.
Комплектация
В наборе поставляется 20 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 10 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 52 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | WDFNW8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 850 ₴