Транзистор ONSEMI NJVMJD122T4G NPN Дарлингтона 100В 8А DPAK (комплект 20 шт.)
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM232637
Транзистор ONSEMI NJVMJD122T4G NPN Дарлингтона 100В 8А DPAK (комплект 20 шт.)В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI NJVMJD122T4G — это биполярный компонент типа NPN со схемой Дарлингтона, предназначенный для работы в электронных схемах. В комплект входит 20 единиц в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: NPN, биполярный, схема Дарлингтона
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Ток коллектора: 8 А
- Рассеиваемая мощность: 1,75 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и ток коллектора 8 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,75 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект из 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.75 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴