
Транзистор ONSEMI MJD122G NPN Darlington 100V 8A DPAK (набор 20 шт.)
2 490 ₴
- В наличии
- Код: TM232635
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJD122G — это биполярный компонент типа NPN с архитектурой Дарлингтона. Товар поставляется комплектом из 20 единиц в корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: NPN, биполярный, Дарлингтон
- Напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Ток коллектора: 8 А
- Коэффициент усиления (hFE): 300
- Рассеиваемая мощность: 1,75 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Граничная частота: 4 МГц
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Компонент рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 100 В и постоянный ток коллектора до 8 А. Коэффициент усиления по току составляет 300. Максимальная рассеиваемая мощность равна 1,75 Вт.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Максимальная граничная частота составляет 4 МГц.
Комплектация
В упаковке содержится 20 транзисторов MJD122G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.75 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Граничная частота передачи | 4 МГц |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 490 ₴
