Транзистор ONSEMI MJ11032G, NPN Дарлингтона, 120V 50A 300W, TO3 — набор 2 шт.
2 620 ₴
- В наличии
- Код: TM232633
Транзистор ONSEMI MJ11032G, NPN Дарлингтона, 120V 50A 300W, TO3 — набор 2 шт.В наличии
2 620 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJ11032G — это биполярный компонент типа NPN со схемой Дарлингтона.
- Ток коллектора 50 А
- Напряжение коллектор-эмиттер 120 В
- Рассеиваемая мощность 300 Вт
- Тип транзистора: NPN, Дарлингтон
- Корпус TO3, монтаж THT
- В комплекте 2 шт.
Высокая мощность и ток
Компонент выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 120 В и максимально допустимый ток коллектора 50 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт.
Схема Дарлингтона
Компонент выполнен по схеме Дарлингтона.
Монтаж и корпус
Транзистор выполнен в корпусе TO3. Тип монтажа: выводной (THT).
Комплектация
В комплекте 2 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 120 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 620 ₴