Транзистор IGBT LUGUANG ELECTRONIC LGEGB15N65T2, 650 В, 60 А, TO263 (30 шт.)

Транзистор IGBT производства LUGUANG ELECTRONIC, модель LGEGB15N65T2. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе TO263 для поверхностного монтажа.

• Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Ток коллектора: 60 А
• Мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: TO263
• Тип монтажа: Поверхностный
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В. Максимальный ток коллектора — 60 А. Мощность рассеивания — 125 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент имеет тип монтажа «Поверхностный». Корпус — TO263. Интегрированный антипараллельный диод является свойством полупроводникового элемента.

Дополнительные параметры и комплектация

В наборе 30 транзисторов.