Транзистор IXYS IXTA76P10T — это полевой транзистор типа P-MOSFET с технологией TrenchP™. Устройство имеет мощность рассеивания 298 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 В
- Время включения: 70 нс
- Максимальная мощность рассеивания: 298 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 25 мОм
- Корпус: TO263, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 5 шт.
Конструкция и технология
Компонент выполнен в корпусе TO263 для поверхностного монтажа. Используется технология TrenchP™.
Комплектация
В наборе поставляется 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 298 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 70 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 760 ₴

