Транзистор N-MOSFET Infineon IPP114N12N3GXKSA1, 120В, 75А, 136Вт, PG-TO220-3 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPP114N12N3GXKSA1. Это полевой транзистор с индуцированным каналом (wzbogacany), предназначенный для работы с напряжением до 120 В и током до 75 А. В комплекте поставляется 20 единиц в корпусе PG-TO220-3.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, униполярный
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 В
• Максимально допустимый ток стока: 75 А
• Максимальная мощность рассеивания: 136 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 11.4 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 120 В и максимально допустимый ток стока 75 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 136 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 11.4 мОм, что характеризует эффективность проводника при открытом затворе.

Конструкция и монтаж

Изделие выполнено в корпусе PG-TO220-3 с выводным типом монтажа. Технология изготовления — OptiMOS™ 3. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — индуцированный (wzbogacany).

Комплектация и идентификация

В наборе содержится 20 транзисторов. Символ производителя: IPP114N12N3GXKSA1.