Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5B65MQ1E, 650 В, 15 А, TO252 (набор 30 шт.)

Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5B65MQ1E в корпусе TO252. Предназначен для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, максимальный ток коллектора — 15 А.

• Тип транзистора: IGBT
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Максимальный ток коллектора: 15 А
• Максимальная мощность рассеивания: 21 Вт
• Корпус: TO252
• Тип монтажа: поверхностный
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 15 А. Максимальная мощность рассеивания равна 21 Вт. Согласно данным магазина, заряд затвора составляет 8,8 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO252. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Это определяет способ установки транзистора на печатную плату.

Комплектация

В комплекте поставляется 30 транзисторов.