Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMP6A16KTC, DPAK, набор 20 шт.

Транзистор P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXMP6A16KTC, в корпусе DPAK. Это униполярный полевой транзистор с p-каналом обогащения, имеет тип монтажа «Поверхностный». В комплекте поставляется 20 единиц.

• Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
• Корпус: DPAK
• Тип монтажа: Поверхностный
• Максимальная мощность рассеивания: 4,24 Вт
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 125 мОм
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания составляет 4,24 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 125 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет тип монтажа «Поверхностный» (SMD). Корпус выполнен в стандарте DPAK. Поляризация — униполярная, канал — обогащенный (enhancement).

Комплектация

В наборе 20 транзисторов.