Транзистор N-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A, 60 В, 50 А, DFN5060-8 (YJG80G06A-YAN) — набор 20 шт.

N-канальный полевой транзистор YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A в корпусе DFN5060-8. Устройство выполнено по технологии SPLIT GATE TRENCH с максимально допустимым напряжением 60 В и током 50 А.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 50 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 5 мОм
• Корпус: DFN5060-8, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а максимально допустимый ток стока — 50 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 5 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор имеет поверхностный тип монтажа и выполнен в корпусе DFN5060-8. Применяемая технология SPLIT GATE TRENCH определяет конструктивные особенности канала. Максимальная мощность рассеивания составляет 38 Вт.

Дополнительные характеристики и комплектация

В комплект поставки входит 20 шт. транзисторов.